Элементная база
1. Пассивные компоненты
1.1. Резисторы
1.1.1. Физические особенности пpоводников
1.1.2. Основные паpаметpы pезистоpов
1.1.3. Вольт - ампеpная хаpактеpистика pезистоpа
1.1.4. Электpические соединения pезистоpов
1.1.5. Констpукции pезистоpов
1.1.6. Ваpистоpы
1.1.7. Теpмистоpы
1.1.7.1. Типовые параметры
1.1.7.2. Уравнения для термисторов
1.1.7.3. Прецизионные термисторы
1.1.7.4. Температурные характеристики
1.1.8. Маpкиpовка pезистоpов
1.1.9. Цветовая маpкиpовка pезистоpов
1.2. 1.2 Конденсаторы
1.2.1. Классификация конденсаторов
1.2.2. Конденсаторы с органическим диэлектриком
1.2.3. Конденсаторы с неорганическим диэлектриком
1.2.4. Система обозначений и маркировка конденсаторов
1.3. Индуктивные компоненты
1.3.1. Трансформаторы
1.3.1.1. Принцип действия трансформатора
1.3.1.2. Основные параметры трансформатора
1.3.1.3. Специальные типы трансформаторов.
1.3.2. Дроссели
2. Активные компоненты
2.1. Полупроводниковые
2.1.1. Основы физики твердого тела
2.1.1.1. Истоки физики твердого тела
2.1.1.1.1. Кристаллические и аморфные тела
2.1.1.1.2. Типы межатомных связей в твердых телах
2.1.1.1.3. Кристаллическая решетка
2.1.1.1.4. Обозначение узлов, направлений, плоскостей
2.1.1.1.5. Дефекты в кристаллах
2.1.1.1.6. Нормальные колебания решетки
2.1.1.1.7. Теплоемкость кристаллов, фононы
2.1.1.1.8. Теория теплоемкости
2.1.1.1.9. Теория Дебая
2.1.1.1.10. Тепловое расширение
2.1.1.2. Основы зонной теории твердых тел
2.1.1.2.1. Обобществление электронов, энергетические зоны
2.1.1.2.2. Уравнение Шредингера для электрона в кристалле
2.1.1.2.3. Расчет спектра электрона в кристалле
2.1.1.2.4. Динамика электронов в кристале
2.1.1.2.5. Электронные свойства металлов
2.1.1.2.6. Теплопроводность металла
2.1.1.2.7. Электропроводность металлов
2.1.1.2.8. Температурная зависимость теплопроводности металлов
2.1.1.3. Физика полупроводниковых материалов
2.1.1.3.1. Электрический ток и уравнение непрерывности
2.1.1.3.2. Понятие подвижности носителей свободного заряда
2.1.1.3.3. Электроны и дырки
2.1.1.3.4. Электропроводность полупроводников
2.1.1.3.4.1. Особенности энергетических зон
2.1.1.3.4.2. Расчет концентрации носителей заряда
2.1.1.3.4.3. Легирование кристаллов донорной или акцепторной примесью
2.1.1.3.4.4. Электропроводность легированных кристаллов
2.1.1.3.5. Рекомбинация электронов и дырок.
2.1.2. Полупроводниковые компоненты
2.1.2.1. Диоды
2.1.2.1.1. Электронно-дырочный переход (pn - переход)
2.1.2.1.1.1. Возникновение потенциального барьера
2.1.2.1.1.2. Граничные условия для концентраций носителей заряда.
2.1.2.1.1.3. Вольтамперная характеристика pn перехода
2.1.2.1.1.4. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на ВАХ pn перехода
2.1.2.1.1.5. Диффузионная емкость pn перехода
2.1.2.1.1.6. Переходные процессы
2.1.2.1.1.7. Включение диода
2.1.2.1.1.8. Переход диода в выключенное состояние
2.1.2.1.2. Выпрямительные диоды
2.1.2.1.3. Туннельный диод
2.1.2.1.4. Полупроводниковая емкость (варикап)
2.1.2.2. Биполярные транзисторы
2.1.2.2.1. Принцип работы
2.1.2.2.2. Характеристики биполярного транзистора
2.1.2.2.3. Малосигнальные параметры биполярного транзистора
2.1.2.2.4. Процессы в биполярном транзисторе
2.1.2.2.5. Влияние характеристик транзистора на параметры схемы
2.1.2.2.5.1. Коэффициент передачи по току
2.1.2.2.5.2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода – rэ
2.1.2.2.5.3. Тепловой ток транзистора
2.1.2.2.5.4. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода - rк
2.1.2.2.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
2.1.2.2.6.1. Зависимость коэффициента передачи от частоты
2.1.2.2.6.2. Зависимость в схеме с общим эмиттером
2.1.2.2.7. Работа транзистора в импульсном режиме
2.1.2.2.7.1. Режим переключения
2.1.2.2.7.2. Расчет времени включения
2.1.2.2.7.3. Расчет времени рассасывания заряда
2.1.2.3. Тиристоры
2.1.2.3.1. Конструкция
2.1.2.3.2. Условие включения
2.1.2.4. Полевые транзисторы
2.1.2.4.1. Особенности полевых транзисторов
2.1.2.4.2. Полевые транзисторы с управляющим pn переходом
2.1.2.4.2.1. Принцип работы. Вольтамперные характеристики
2.1.2.4.2.2. Влияние температуры на параметры транзистора
2.1.2.4.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
2.1.2.4.3.1. Свойства МДП структуры
2.1.2.4.3.2. Характеристики и параметры МДП структуры
2.1.2.5. Комбинированные структуры
2.1.2.5.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
2.1.3. Интегральные микросхемы (ИМС)
2.1.3.1. Гибридные ИМС
2.1.3.1.1. Технологические операции при производстве гибридных ИМС
2.1.3.1.1.1. Получение подложки
2.1.3.1.1.2. Очистка подложки от химических и физических загрязнений
2.1.3.1.1.3. Нанесение резистивного и проводящего слоев
2.1.3.1.1.4. Получение необходимого рисунка пленочных элементов
2.1.3.1.1.4.1. Фоторезисты и их свойства
2.1.3.1.1.4.2. Фотошаблоны
2.1.3.1.1.5. Заключительные технологические операции
2.1.3.1.2. Пленочные резисторы, конденсаторы, проводники и контактные площадки
2.1.3.1.2.1. Пленочные резисторы
2.1.3.1.2.2. Пленочные конденсаторы
2.1.3.1.2.3. Расчет пленочных проводников контактных площадок
2.1.3.2. Полупроводниковые ИМС
2.1.3.2.1. Общие положения
2.1.3.2.2. Биполярная и МДП технология производства ИМС
2.1.3.2.3. Операции при производстве полупроводниковых ИМС
2.1.3.2.3.1. Получение слитка монокристалла кремния
2.1.3.2.3.2. Очистка монокристалла кремния
2.1.3.2.3.3. Легирование кристалла
2.1.3.2.3.4. Резка кристалла на пластины
2.1.3.2.3.5. Создание областей различного типа проводимости
2.1.3.2.3.6. Заключительные технологические операции
2.1.3.2.3.7. Повышение степени интеграции современных ИМС
2.1.3.2.4. Методы изоляции элементов полупроводниковых ИМС
2.1.3.2.5. Конструкции основных элементов полупроводниковых ИМС
2.1.3.2.5.1. Структура планарно-эпитаксиального транзистора
2.1.3.2.5.2. Структура диффузионного резистора
2.1.3.2.5.3. Интегральный конденсатор на основе n-перехода
2.1.3.2.5.4. Структура интегрального МДП-конденсатора
2.1.3.3. СБИС
2.1.3.3.1. Особенности субмикронной технологии СБИС
2.1.3.3.1.1. Технологические операции и оборудование
2.1.3.3.1.1.1. Субмикронная литография
2.1.3.3.1.1.2. Молекулярно - лучевая эпитаксия
2.1.3.3.1.1.3. Плазменное травление
2.1.3.3.1.1.4. Технология быстрой термической обработки
2.1.3.3.1.1.5. Методы формирования КНИ - пластин
2.1.3.3.1.2. Организация производства СБИС
2.1.3.3.2. Элементная база СБИС
2.1.3.3.2.1. Субмикронные КМОП - СБИС
2.1.3.3.2.2. GaAs-СБИС на основе полевых транзисторов Шоттки
2.1.3.3.2.3. СБИС на основе комплементарных транзисторов Шоттки
2.1.3.3.2.3.1. Комплементарные ПТШ - элементы с термозависимым источником питания
2.1.3.3.2.3.2. Сверхбыстродействующие элементы на основе статической индукциии
2.2. Оптические
2.2.1. Физические основы оптоэлектроники
2.2.1.1. Основные законы оптических явлений.
2.2.1.1.1. Закон прямолинейного распространения света.
2.2.1.1.2. Закон независимости световых пучков.
2.2.1.1.3. Закон отражения света.
2.2.1.1.4. Закон преломления света.
2.2.1.2. Физические принципы применения лазеров
2.2.1.2.1. Квантовость
2.2.1.2.2. Когерентность
2.2.1.2.3. Монохроматичность
2.2.1.2.4. Направленность
2.2.1.2.5. Яркость
2.2.1.2.6. Длительность импульса
2.2.1.2.7. Мощность генерации
2.2.2. Лазерная техника
2.2.2.1. Твердотельные лазеры
2.2.2.1.1. Неодимовые твердотельные лазеры NdYa
2.2.2.1.2. Лазеры на стекле с неодимом
2.2.2.2. Газовые лазеры
2.2.2.2.1. СO2 - молекулярные газовые лазеры
2.2.2.3. Полупроводниковые лазеры
2.2.2.3.1. Лазер на гомопереходе
2.2.2.3.2. Лазер на двойном гетеропереходе
2.2.3. Волоконно-оптические линии связи
2.2.3.1. Появление оптических волокон
2.2.3.2. Одно- и многомодовые оптические волокна
2.2.3.3. Характеристики оптического волокна
2.2.4. Волоконно-оптические датчики
2.2.4.1. От электрических измерений к электронным
2.2.4.2. От аналоговых измерений к цифровым
2.2.4.3. Цифризация и волоконно-оптические датчики
2.2.4.4. Классификация волоконно-оптических датчиков
2.2.4.4.1. Датчики в качестве линии передачи
2.2.4.4.2. Датчики в качестве чувствительного элемента
2.2.5. Оптроны
2.2.5.1. Физические основы оптронной техники.
2.2.5.1.1. Элементная база и устройство оптронов.
2.2.5.1.2. Физика преобразования энергии в диодном оптроне.
2.2.5.2. Параметры и характеристики оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем.
2.2.5.2.1. Классификация параметров изделий оптронной техники.
2.2.5.2.2. Диодные оптопары.
2.2.5.2.3. Транзисторные и тиристорные оптопары.
2.2.5.2.4. Резисторные оптопары.
2.2.5.2.5. Дифференциальные оптопары.
2.2.5.2.6. Оптоэлектронные микросхемы.
2.3. Квантовые
2.3.1. Базовые положения
2.3.2. Кубиты на ядерных спинах в кремнии
2.3.2.1. Конструкция кубита
2.3.2.2. Индивидуализация кубитов и однокубитные операции
2.3.2.3. Взаимодействие кубитов и двухкубитные операции
2.3.3. Кубиты на электронном спиновом резонансе в структурах Ge–Si
2.3.3.1. Квантовый компьютер с электронным спиновым резонансом
2.3.3.2. Конструкция ЭСР кубита
2.3.3.3. Однокубитные операции
2.3.3.4. Двухкубитные операции
2.3.3.5. Детектирование спинового резонанса МДП транзисторами
2.3.3.6. Влияние ориентации подложки кремния